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殘壓比KR  

通過壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。

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電容量C0

壓敏電阻在導(dǎo)通前的電阻值很大，可視為電介質(zhì)材料，兩個(gè)電極之間存在著pF級(jí)的電容在工頻下，如此之小的電容對(duì)被保護(hù)電路的正常工作幾乎沒有任何影響，但在高頻或數(shù)字線路中，如不考慮壓敏電阻的電容量，有時(shí)會(huì)造成信號(hào)失真或產(chǎn)生諧振。因此生產(chǎn)廠家應(yīng)向用戶提供壓敏電阻的電容量參考數(shù)據(jù)（一般以峰值或典型值的方式），以便用戶設(shè)計(jì)電路時(shí)參考。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷！

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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢(shì)壘。認(rèn) 為肖特基勢(shì)壘像　ＺｎＯ　微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢(shì)壘。晶粒邊界 上的負(fù)表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來補(bǔ)償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機(jī)制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢(shì)壘的晶粒邊界缺陷模型在改進(jìn) 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進(jìn)展。

由于壓敏電阻型號(hào)太多，每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一，想了解更多壓敏電阻的信息，請(qǐng)撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝

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